IC 后端执行与流片全责

从 RTL 冻结到代工厂验收 GDS——包括 ICC 接口与掩模提交协调。

执行记录
TSMCSMICUMCTower

代工厂接口经验:中芯国际 / 台积电 / 联电 / 塔尔(项目制合作,保密协议保护)

问责范围

我们实际负责的内容

不分散。不外包。一个专责后端团队。

01 后端实现

网表交接 → signoff 就绪 GDSII

  • 多角时序收敛
  • DRC/LVS 闭合
  • IR/EM 验证
  • STA 与物理验证

02 流片与 ICC 接口

GDS 冻结 → 代工厂验收掩模

  • PDK 集成
  • MPW 协调
  • 掩模包组装
  • 代工厂提交与验收

03 ECO 与硅片保障

后期变更 → 增量 re-signoff

  • 增量 re-signoff
  • 后期时序管控
  • 后布局验证
  • 硅片调试支持

执行记录

8个

流片交付(过去 24 个月)

22–180nm

工艺节点覆盖

3家

复购客户

10–14周

典型后端周期

代表性项目

  • 28nm 台积电: 180万门,800MHz 时序关键接口
  • 55nm 中芯: 传感器 AFE 含嵌入式 ADC,一次成功
  • 110nm 联电: 模拟为主的电源管理控制器
  • 40nm 中芯: IoT 连接 SoC,多电压域

ICC 责任

我们与纯设计团队的区别

大多数后端团队在 signoff 后即视为完成。我们负责代工厂接口的全程管理。

  • 提交就绪的 DRC/LVS
  • MPW 班车排期协调
  • 掩模数据准备
  • GDS 验收确认

案例

中芯国际 55nm — 含嵌入式 ADC 的传感器 AFE

节点: 55nm 中芯国际设计类型: 传感器 AFE / 嵌入式 ADC周期: 9 周至流片结果: 首次流片成功

Situation

混合信号 AFE,含嵌入式 12 位 ADC。客户曾终止上一个后端合作,原因是跨温度角时序持续失败并导致首次硅片流片失败。距中芯班车截止仅剩 9 周。

What we did

识别到时序违例根源在于混合信号路径 OCV derating 不足。重建约束集,为模拟域和数字域分设独立 PVT 角点。每个 ECO 周期后完整增量 re-signoff。ICC 包提前组装并提交,保留一周缓冲。

Outcome

首次流片硅片成功。全部模拟性能指标在硅片上实现。客户追加 28nm 后续项目合作。

保密协议下的流片范围评估

提交工艺节点、排期与范围说明。48 小时内返回初步技术反馈。